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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5114 个

  • 充电器mos管,130a150v,KCP2915B场效应管参数资料-KIA MOS管

    KCP2915B场效应管漏源击穿电压150V，漏极电流130A，采用先进的SGT、沟槽MOS技术设计，高效率低损耗；极低导通电阻RDS(on) 7.3mΩ，低栅极电荷，可最大限度地减少导电损失；具有100% EAS保证，坚固可靠、绿色设备可用、优质环保；广泛应用于负载开关、LED应用、...

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    www.kiaic.com/article/detail/5714.html         2025-06-09

  • 电机控制器的工作原理,组成结构详解-KIA MOS管

    输入信号处理：电机控制器接收来自外部的控制信号，如模拟信号、数字信号等。这些信号经过处理后，用于控制电机的运行状态。微处理器控制：微处理器是电机控制器的核心部件，负责处理输入信号，生成控制指令，并通过通信接口与其他系统进行交互。

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    www.kiaic.com/article/detail/5713.html         2025-06-09

  • mosfet负温度系数特性,正/负温度系数-KIA MOS管

    MOSFET的阈值电压Vgs（th)具有负温度系数，这意味着随着温度的升高，阈值电压会降低。这是因为温度升高会导致半导体材料中的载流子浓度增加，使得沟道中的载流子更容易被栅极电场吸引，从而降低了阈值电压的值。

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    www.kiaic.com/article/detail/5712.html         2025-06-09

  • 10065碳化硅,10a650v碳化硅,10065碳化硅二极管参数-KIA MOS管

    SSP10065A碳化硅二极管10a/650v参数，具有更高的过电压安全裕度、提高了所有负载条件下的效率、与硅二极管替代品相比提高了效率、降低散热器要求、无热失控的并联器件、基本无开关损耗；在效率、耐压性、热性能及可靠性等方面具有显著优势?，主要包括更高的开...

    1 次查看 10065碳化硅 10a650v碳化硅

    www.kiaic.com/article/detail/5711.html         2025-06-06

  • 汽车LED透镜mos管应用方案及选型-KIA MOS管

    采用Buck电路作为开关电路完成高效电能转换时，用线性电路抑制电路纹波，得到有源纹波补偿Buck电路，实现可靠性高、寿命长的LED驱动。

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    www.kiaic.com/article/detail/5710.html         2025-06-06

  • 光伏汇流箱结构、原理图详解-KIA MOS管

    光伏交流汇流箱由直流输入、DC/AC逆变器、交流输出和保护等组成。直流输入部分连接光伏板的正负极，将光伏板产生的直流电能输入到交流汇流箱中。

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    www.kiaic.com/article/detail/5709.html         2025-06-06

  • 同步整流场效应管,130a85vmos管,KCD2908A参数手册-KIA MOS管

    KCD2908A场效应管漏源击穿电压85V，漏极电流130A，采用先进的SGT技术设计，极低导通电阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的栅极电荷，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应用于电机驱动、SR...

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    www.kiaic.com/article/detail/5708.html         2025-06-05

  • LED照明电路图,原理图分享-KIA MOS管

    NPN 晶体管 2N3055 用于打开第 I 组蓝色 LED，而 PNP 晶体管 2N2905 用于打开第 II 组红色 LED。当基极施加超过 0.7V 的正 V 且电流进入基极时，NPN 晶体管导通。但对于 PNP 晶体管，只有当基极连接到负极或接地并且电流离开此处时，它才会导通。

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    www.kiaic.com/article/detail/5707.html         2025-06-05

  • 无线充电电路图,无线充电原理-KIA MOS管

    无线充电的实现通常需要两个线圈，一个是置于充电平台中的发射线圈，另一个是置于电子设备内的接收线圈。当一个变化的电流通过充电平台的发射线圈时，线圈内会产生一个变化的磁场。在电子设备靠近充电平台后，接收线圈会产生感应电流，并且通过电路系统转换为直...

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    www.kiaic.com/article/detail/5706.html         2025-06-05

  • 电源转换器专用,400vmos管,KNP6140S场效应管参数-KIA MOS管

    大功率场效应管KNP6140S漏源击穿电压400V，漏极电流11A，专为高压、高速功率开关应用设计；极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失，高效低耗；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，性能稳定可靠；广泛应...

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    www.kiaic.com/article/detail/5705.html         2025-06-04

  • mmbt5401参数,引脚图,mmbt5401资料手册-KIA MOS管

    MMBT5401高压PNP双极晶体管，该器件设计为通用放大器和开关，用于需要高电压的应用。采用SOT-23封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。

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    www.kiaic.com/article/detail/5704.html         2025-06-04

  • 数字电位器原理,电路图分享-KIA MOS管

    当按下其中一个键（用力按下S1，轻轻按下S2）时，IC2d的输出会改变状态，从而使时钟发生器和IC1（通过IC2b）使能。然后，电容C1通过R1和R2充电，直到IC2a的输入电平变为低电平，此时连接到IC1时钟输入的栅极输出改变状态（从低到高）。

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    www.kiaic.com/article/detail/5703.html         2025-06-04

  • 充电桩mosfet,1000v场效应管,KNF45100A参数引脚图-KIA MOS管

    KNF45100A场效应管漏源击穿电压1000V，漏极电流6A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电荷最小化开关损耗，低反向传输电容，开关速度快，高效低耗；快速恢复体二极管、符合RoHS、高坚固性，稳定可靠；适用于备用电源，充电桩、适配器等...

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    www.kiaic.com/article/detail/5702.html         2025-05-29

  • 占空比计算公式,pwm占空比详解-KIA MOS管

    脉冲高电平持续时间（Ton）：是脉冲信号处于高电平状态的时间。脉冲周期（T）：是脉冲信号从开始到重复出现所需的时间长度（即：高电平时间+低电平时间）。

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    www.kiaic.com/article/detail/5701.html         2025-05-29

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